ASML阿斯麦近日说明，全新一代Twinscan NXE EUV光刻机研发发达成功，光源功率将擢升50％达到1000W，出产后果也将擢升20％达到每小时330块晶圆，展望2030年或更晚时刻面世。

ASML对这一设立极为自豪，况兼信心满满，觉得还是找到1500W光源的了了手艺旅途，而且表面上讲作念到2000W也不存在根人道蹧蹋！

固然，杀青1000W光源和好意思满的光刻系统，需要打破重重蹧蹋。

第一，ASML必须尽快措置2024年底就公布的三脉冲极紫外光生成手艺。

它领先通过1微米的预脉冲(pre-pulse)，将锡滴压平，再经1微米的稀疏预脉冲(rarefaction pre-pulse)，使锡滴变成稀疏景色，临了由10微米的二氧化碳激光主脉冲，将锡滴滚动为极紫外等离子体。

ASML还是为此手艺恳求了专利，但尚未商用落地，展望要比及这个10年末期退出的Twinscan NXE:4000系列光刻机。

第二，1000W光源必须配备全新的锡滴发生安设，使其放射频率擢升近一倍，达到每秒10万个。

这一安设现在仍处于研发阶段，还得几年身手插足交易化。

第三，跟着锡滴放射数目的大皆加多，势必导致晶圆（更准确地说是晶圆保护膜）上的杂质残留量加多。

因此必须配备全新的杂质齐集安设，快速捣毁它们。

第四，米乐app下载1000W光源产生之后，精确传导至晶圆也特别难，为此需要全新的高透射投影光学系统。

该系统进一步升级后，可将产能擢升至每小时逾越450块晶圆，对应的光源功率也将达到1500W傍边。

第五，对晶圆台和掩模台也提议了新条款，必须同步完成升级。

第六，还需要全新的光刻胶和晶圆保护膜，与之适配。

是以，一台全新光刻机的出身，并不仅仅ASML的责任，需要统共产业链作念好全面准备。

值得一提的是，ASML还莫得将1000W EUV光源整合到高、低数值孔径(NA) EUV光刻手艺道路图中。

低NA方面，新一代Twinscan NXE:4000F光刻机运筹帷幄2027年面市，针对1.xnm工艺节点联想，包括Intel 14A和台积电16A/14A)，套刻精度可达0.8nm，每小时产能逾越250块晶圆。

2029年，咱们将看到Twinscan NXE:4200G，产能每小时逾越280块晶圆。

高NA方面，Twinscan EXE:5200C光刻机来岁登场，每小时产能逾越185块晶圆，套刻精度优于0.9nm。

2029年，Twinscan EXE:5400D光刻机将相继而至，产能将打破每小时195片晶圆。

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